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J-GLOBAL ID：200903082707600804

薄膜状半導体およびその製造方法

Inventor： 吉見 雅士 ,  鈴木 孝之 ,  中島 昭彦 ,  山本 憲治
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996119287
Publication number (International publication number)：1997306837
Application date： May. 14, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ガラスのような絶縁物質でなる基板上に形成された、高品質でしかも電極として利用可能な程度の低抵抗の薄膜状シリコン系半導体、および該半導体を低温かつ簡便なプロセスにて製造する方法を提供すること。【解決手段】 絶縁性基板上に形成された薄膜状シリコン系半導体であって、キャリア濃度が1×1020cm-3以上である、薄膜状シリコン系半導体。このような薄膜状シリコン系半導体は、絶縁性基板上にプラズマCVD法でドーパント原子を含むアモルファスシリコン系薄膜を形成する工程、および該薄膜にパルスレーザーを照射する工程により得られる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成された薄膜状シリコン系半導体であって、キャリア濃度が1×1020cm-3以上である、薄膜状シリコン系半導体。

IPC (7)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 導電性多結晶シリコン膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-243272   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-293566   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭56-029321
  
• 特開昭63-310712
  
• 特開昭56-088818
  
• 特開昭63-025913