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J-GLOBAL ID：200903082709107315

半導体光集積素子及びその製造方法

Inventor： 鈴木 誠 ,  青木 雅博 ,  谷渡 剛
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994013328
Publication number (International publication number)：1995221390
Application date： Feb. 07, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】選択成長による異種半導体光導波路の一括形成法を用いる場合、異種光導波路間において、成長速度変化率を所望の値に維持しつつ、基板に対する格子定数の歪量変化率を抑制すること、量子井戸の障壁層の基板面と平行な面方位での膜厚変化率を低減すること。【構成】半導体基板1上に形成する絶縁膜マスク2間の目空き幅を10μmないし30μmとし、光軸と鉛直方向の断面において、InGaAsPバッファ層3の(111)B面の長さを(100)面の長さの約1/8以上にし、又、量子井戸層4のInGaAsP障壁層7の成長速度が(111)B面上と(100)面上でほぼ等しくなるように成長条件を制御する。

Claim (excerpt)：

同一の結晶成長工程において形成されたにもかかわらず、同一基板面内で成長層厚、又は組成、若しくはその両者が異なる半導体多層膜から形成され、上記半導体多層膜間の結合部で成長層厚、又は組成、若しくはその両者が単調に変化する半導体多層膜からなる異種光導波路集積構造が、異なる光導波路を少なくとも二つは含み、前記半導体多層膜中の全ての単層膜の格子定数の歪率が-0.2%ないし+0.1%であることを特徴とする半導体光集積素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体光集積素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-180746   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体光集積素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-042831   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-036269