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J-GLOBAL ID：200903082910563655

受動素子を内臓した半導体装置の製造方法、中継基板及びその製造方法

Inventor： 米田 義之 ,  南澤 正栄 ,  清水 敦和 ,  今村 和之 ,  菊池 敦 ,  貫和 大 ,  山口 修 ,  藤本 康則 ,  井原 匠 ,  森岡 宗知 ,  栗城 幸弘 ,  内田 正貴
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001335413
Publication number (International publication number)：2003142624
Application date： Oct. 31, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：

【要約】【課題】 中継基板のベース基板に特殊な処理を施すことなく、半導体素子とバイパスコンデンサ等の受動素子を内臓した中継基板とをパッケージングした半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】バイパスコンデンサ18を内臓した中継基板4をベース基板20上に形成する。ベース基板20上に形成された状態の中継基板4のベース基板20とは反対側の面に半導体素子6,8を実装する。ベース基板20を中継基板4から分離し、中継基板4の他方の面を露出させる。中継基板4の他方の面に露出した電極パッドを介して中継基板4をパッケージ基板2に実装する。

Claim (excerpt)：

受動素子を内臓した半導体装置の製造方法であって、受動素子を内臓した中継基板をベース基板上に形成する中継基板形成工程と、前記ベース基板上に形成された状態の前記中継基板の前記ベース基板とは反対側の面に少なくとも一つの半導体素子を実装する半導体素子実装工程と、前記ベース基板を前記中継基板から分離し、前記中継基板の他方の面を露出させるベース基板分離工程と、前記中継基板の他方の面に露出した電極パッドを介して前記中継基板をパッケージ基板に実装する中継基板実装工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/12 501

FI (2)：

H01L 23/12 501 B ,  H01L 23/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平3-246993
  
• 特開平4-291993
  
• フィルム状コンデンサ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-087872   Applicant：富士通株式会社
• プリント配線板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-055133   Applicant：株式会社東芝
• 多層基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-037243   Applicant：双信電機株式会社
• 電気コネクタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-112709   Applicant：しなのポリマー株式会社, 信越ポリマー株式会社