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J-GLOBAL ID：200903082918222997

高温鉛フリーはんだ合金および電子部品

Inventor： 中村 喜一 ,  豊田 良孝 ,  大西 司
Applicant, Patent owner： TDK株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003095499
Publication number (International publication number)：2004298931
Application date： Mar. 31, 2003
Publication date： Oct. 28, 2004
Summary：

【課題】電子部品の内部に用いられてきた高温はんだ合金は、Pb主成分のものであった。しかしながらPb入りの高温はんだ合金は、鉛公害の問題があるため鉛フリーの高温はんだ合金が要望されるようになってきている。従来の鉛フリー高温はんだ合金は、耐熱性、脆性、或いは固相線温度と液相線温度間の凝固範囲に問題があった。【解決手段】Sb10〜40質量%、Cu1〜9質量%、残部Snからなる高温鉛フリーはんだ合金である。さらに機械的強度を向上させるために、Co、Fe、Mo、Cr、Ag、Biからなる群からえらばれた1種以上を添加したり、酸化抑制元素としてP、Ge、Gaから選ばれた1種以上を添加したりする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Sbが10〜40質量%、Cuが0.5〜10質量%、残部Snからなることを特徴とする高温鉛フリーはんだ合金。

IPC (3)：

B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H05K3/34

FI (3)：

B23K35/26 310A ,  C22C13/02 ,  H05K3/34 512C

F-Term (3)：

5E319AC01 ,  5E319BB01 ,  5E319GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半田材料及びそれを用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-097914   Applicant：田中電子工業株式会社
• 高温クリームはんだ用組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-355313   Applicant：ティーディーケイ株式会社

Cited by examiner (2)

• 半田材料及びそれを用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-097914   Applicant：田中電子工業株式会社
• 高温クリームはんだ用組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-355313   Applicant：ティーディーケイ株式会社