X線吸収マスクの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：本城雅則 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995211287
Publication number (International publication number)：1996064524
Application date： Jul. 28, 1995
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【課題】内部応力を最少に抑えたX線吸収マスクを製造する方法を提供する。【解決手段】 X線吸収マスクの製造方法は、表面(16)と背面(18)とを有するシリコン基板(10)を用意する段階を含む。表面(16)上にメンブレーン層(12)を形成する。本発明の一実施例では、メンブレーン層(12)上に、エッチ・ストップ層(14)およびX線吸収層(20)を連続的に形成する。好適実施例では、X線吸収層(20)は、RFスパッタ付着法によって、シリコン基板(10)を覆う層上に直接付着された窒化タンタル・シリコンである。次に、X線吸収層(20)内の内部応力を低減するのに十分な温度で、この構造をアニールする。最後に、X線吸収層をパターニングし、メンブレーン層(12)上にマスキング・パターン(30)を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体素子の製造に用いるためのX線吸収マスクの製造方法であって:表面(16)と背面(18)とを有するシリコン基板(10)を用意する段階;前記表面(16)上にメンブレーン層(12)を形成する段階;前記メンブレーン層を覆うようにX線吸収層(20)を形成する段階であって、HfまたはRe,FeW合金、TaFe合金、ならびに耐熱金属、シリコンおよび窒素からなる材料の少なくとも1つを含む材料からなる群から選択されるアモルファス材料で前記X線吸収層(20)を形成する段階;前記X線吸収層(20)をアニールし、その中の内部応力を低減する段階;および前記X線吸収層をパターニングし、マスキング・パターン(30)を規定する段階;から成ることを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 1/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平2-002109
X線マスク及びX線マスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-147087 Applicant：三菱電機株式会社
特開平2-305432

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