半導体発光装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996039646
Publication number (International publication number)：1997232685
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】低雑音で安定な横モードを備え、かつ長寿命の連続動作が可能な、青色から近紫外の波長領域のGaN系のLD、及び同じ波長領域のGaN系の高輝度、長寿命なLEDを実現すること。【解決手段】高濃度の不純物添加により比抵抗を大幅に低減したBP、GaN又はSiCをコンタクト層として用いること、またこれらの材料を電流阻止層として用いることにより、電流阻止機能と同時に横モード制御機能を有する低雑音で高密度な光読みだしが可能なLD、及び高輝度青色LEDを得ることができる。

Claim (excerpt)：

Alx GaIn1-x-y N(0≦x+y≦1、0≦x、y≦1)から構成された、第1導電形の第1閉じ込め層と、発光層と、第2導電形の第2閉じ込め層から成るダブルヘテロ接合構造部とを有し、このダブルヘテロ構造部と前記ダブルヘテロ接合構造部に動作電流を供給する電極面との間に、BP又はGaN又はSiCより成るコンタクト層が形成されたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平2-288388
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-038561 Applicant：三洋電機株式会社
特開平3-087019

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Cited by examiner (2)

特開平2-288388
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-038561 Applicant：三洋電機株式会社

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