Pat
J-GLOBAL ID:200903082943962040
半導体装置及びその材料
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鳴井 義夫 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999290015
Publication number (International publication number):2001110898
Application date: Oct. 12, 1999
Publication date: Apr. 20, 2001
Summary:
【要約】【課題】 熱処理後の冷却時に発生する残留応力を低く抑え、かつ耐水接着性、耐薬品性、耐熱性を兼ね備える等半導体用途として必要な種々の特性を満足する耐熱性有機材料と、これと無機材料からなる半導体装置を提供すること。【解決手段】 弾性率が4.5GPa以上10GPa以下であり、かつ塗膜の100°Cから200°Cの線熱膨張係数が25ppm/°C以上45ppm/°C以下、熱機械試験機(TMA)によって測定したガラス転移温度(Tg)が300°C以下であることを特徴とする耐熱性有機高分子材料と無機材料を積層してなる半導体装置を製造する。
Claim (excerpt):
弾性率が4.5GPa以上10GPa以下であり、かつ100°Cから200°Cの線熱膨張係数が25ppm/°C以上45ppm/°C以下、熱機械試験機(TMA)によって測定したガラス転移温度(Tg)が240°C以上300°C以下であることを特徴とする耐熱性有機高分子材料と無機材料を積層してなる半導体装置。
IPC (7):
H01L 21/768
, H01L 21/283
, H01L 21/312
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, C09D179/08
, C09J179/08
FI (6):
H01L 21/283 P
, H01L 21/312 B
, C09D179/08 Z
, C09J179/08 Z
, H01L 21/90 S
, H01L 23/30 B
F-Term (76):
4J038DJ021
, 4J038MA13
, 4J038NA04
, 4J038NA11
, 4J038NA14
, 4J038NA21
, 4J038PA17
, 4J038PB09
, 4J038PC03
, 4J040EH031
, 4J040JB02
, 4J040JB07
, 4J040KA12
, 4J040KA13
, 4J040KA15
, 4J040LA02
, 4J040LA06
, 4J040LA08
, 4J040MA04
, 4J040MB09
, 4J040NA20
, 4M104DD20
, 4M104EE06
, 4M104EE12
, 4M104EE17
, 4M104EE18
, 4M104HH09
, 4M104HH20
, 4M109AA02
, 4M109BA01
, 4M109CA05
, 4M109CA12
, 4M109CA21
, 4M109DB17
, 4M109EA07
, 4M109EA15
, 4M109EC01
, 4M109EC02
, 4M109EC04
, 4M109EC05
, 4M109ED03
, 4M109ED06
, 4M109ED07
, 4M109EE03
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033PP27
, 5F033RR06
, 5F033RR22
, 5F033RR27
, 5F033SS22
, 5F033TT04
, 5F033WW03
, 5F033XX00
, 5F033XX12
, 5F033XX17
, 5F033XX19
, 5F058AA02
, 5F058AA04
, 5F058AD04
, 5F058AD08
, 5F058AD10
, 5F058AD11
, 5F058AF04
, 5F058AG03
, 5F058AH03
, 5F058BA04
, 5F058BA07
, 5F058BC01
, 5F058BC07
, 5F058BD07
, 5F058BD09
, 5F058BF02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
低熱膨張性ポリイミド樹脂およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-106932
Applicant:住友ベークライト株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-027367
Applicant:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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