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J-GLOBAL ID：200903082967346111

半導体発光装置

Inventor： 能登 宣彦 ,  安富 敬三 ,  竹中 卓夫
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994228286
Publication number (International publication number)：1996097467
Application date： Sep. 22, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 p型クラッド層のキャリア濃度を安定して制御可能とし、p型電流拡散層中のp型ドーパントであるZnの拡散によって起こるp型クラッド層/活性層の劣化及び活性層品質の劣化を防止し、これにより、発光強度の向上を可能とした半導体発光装置を提供する。【構成】 n型GaAs基板上に、AlGaInPダブルヘテロ接合構造からなる発光層部が形成され、該発光層部上にp型電流拡散層を形成してなる半導体発光装置において、上記p型電流拡散層がアンドープ電流拡散層と該アンドープ電流拡散層上に形成された高濃度ドープ電流拡散層とからなる。

Claim (excerpt)：

n型GaAs基板上に、AlGaInPダブルヘテロ接合構造からなる発光層部が形成され、該発光層部上にp型電流拡散層を形成してなる半導体発光装置において、上記p型電流拡散層が、アンドープ電流拡散層と該アンドープ電流拡散層上に形成された高濃度ドープ電流拡散層とからなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-171679
  
• 発光ダイオードおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-136945   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-139230   Applicant：株式会社東芝