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J-GLOBAL ID:200903082987970342

ITO焼結体の製造法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996295379
Publication number (International publication number):1997188564
Application date: Nov. 07, 1996
Publication date: Jul. 22, 1997
Summary:
【要約】【課題】 スパッタリング中のノジュール発生が無く、異物発生が抑制された、焼結密度が7.08g/cm3以上の超高密度焼結体を得る。【解決手段】 鋳込成形法によりITO焼結体を製造する方法において、上記スラリーとして酸化スズ粉末を水性媒体中に均一に分散させた分散溶液を所定の時間静置して酸化スズ粉末中の粗粒成分を沈降させた後、微粒成分を含有する上澄み分をデカンテーション処理により分離し、この分離された酸化スズ粉末(4μm以下)を含有する水性媒体中に酸化インジウム粉末を加えて作製したスラリーを用いることを特徴とするITO焼結体の製造方法。
Claim (excerpt):
酸化インジウム、酸化スズ、バインダー、分散剤および水性媒体を含むスラリーを鋳込み成形用鋳型に注入して得られる酸化インジウム-酸化スズ成形体を焼結してITO焼結体を製造する方法において、上記スラリーとして酸化スズ粉末および分散剤を水性媒体中に均一に分散させた分散溶液を所定の時間静置して酸化スズ粉末中の粗粒成分を沈降させた後、微粒成分を含有する上澄み分をデカンテーション処理により分離し、この分離された酸化スズ粉末および分散剤を含有する水性媒体中に酸化インジウム粉末およびバインダーを加えて作製したスラリーを用いることを特徴とするITO焼結体の製造方法。
IPC (6):
C04B 35/495 ,  C04B 35/457 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C30B 29/22 ,  H01B 13/00 503
FI (6):
C04B 35/00 J ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  C30B 29/22 Z ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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