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J-GLOBAL ID：200903083003866538

膜の形成方法、基材、及び表示装置

Inventor：
山田 岳俊

About 山田 岳俊

, 
辻 稔夫

About 辻 稔夫

, 
村松 由海

About 村松 由海


Applicant, Patent owner：
コニカ株式会社

About コニカ株式会社


Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001303558
Publication number (International publication number)：2003105541
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Apr. 09, 2003
Summary：
【要約】【課題】 透湿性が低く、基板に対して良好な密着性を有する膜が得られる膜の形成方法と、この膜を有する基材、及び表示装置を提供する。【解決手段】 大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する電極間に放電することにより反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材の表面にO原子とN原子の少なくともいずれか一方と、Si原子とを含有する膜を形成する方法である。この方法で形成された膜は、酸素原子と窒素原子の数の比をx:yとした場合に、x/(x+y)が0.95以下であり、炭素含有率が0.2〜5重量%である。
Claim (excerpt)：
基材の表面に、酸素原子と窒素原子の少なくともいずれか一方と、珪素原子とを含有する膜を形成する膜の形成方法において、大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する電極間に放電することにより反応性ガスをプラズマ状態とし、前記基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材の表面に前記膜を形成することを特徴とする膜の形成方法。
IPC (7)：
C23C 16/42 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/30 310 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (7)：
C23C 16/42 ,  G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/30 310 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
F-Term (55)：
3K007AB11 ,  3K007AB15 ,  3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007BB06 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007CB04 ,  3K007CC01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA16 ,  4K030JA18 ,  4K030KA16 ,  4K030LA11 ,  5C094AA11 ,  5C094AA15 ,  5C094AA31 ,  5C094AA38 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA27 ,  5C094DA06 ,  5C094DA13 ,  5C094EB02 ,  5C094ED12 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094JA01 ,  5C094JA02 ,  5G435AA02 ,  5G435AA07 ,  5G435AA13 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435AA18 ,  5G435BB05 ,  5G435HH03 ,  5G435HH14 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10 ,  5G435LL07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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