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J-GLOBAL ID:200903083020960912
エレクトロルミネッセンス表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001342896
Publication number (International publication number):2003150079
Application date: Nov. 08, 2001
Publication date: May. 21, 2003
Summary:
【要約】【課題】 周辺駆動回路上の寄生容量を減らし、周辺駆動回路の駆動能力の低下を抑制した有機EL表示装置を提供する。【解決手段】 画素トランジスタ及び駆動回路トランジスタ上を平坦化する平坦化膜と、有機EL素子を駆動するための陰極とを有する有機EL表示装置において、周辺駆動回路領域上に有機EL素子の陰極と平坦化膜の両方を配置し、周辺駆動回路上の平坦化膜と表示画面領域上の平坦化膜を分離するか、または周辺駆動回路上に有機EL素子の陰極と平坦化膜の両方を配置しないようにする。これにより、周辺駆動回路上の寄生容量を減らすことができ、周辺駆動回路の駆動能力の低下を抑制できる。
Claim (excerpt):
絶縁性基板上に、陰極、発光層および陽極を備えたエレクトロルミネッセンス素子と、前記エレクトロルミネッセンス素子に信号を供給する第1の薄膜トランジスタ群を備えた表示画素領域と、前記表示画素領域の周辺に前記第1の薄膜トランジスタ群を駆動する第2の薄膜トランジスタ群を備えた周辺駆動回路領域と、前記第1及び第2の薄膜トランジスタ群上を平坦化する平坦化膜とを具備するエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記表示画素領域には前記平坦化膜と前記陰極の両方が設けられており、前記周辺駆動回路領域には前記平坦化膜と前記陰極の両方が設けられていないことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
IPC (4):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365
, G09F 9/00 348
, H05B 33/14
FI (4):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365 Z
, G09F 9/00 348 C
, H05B 33/14 A
F-Term (27):
3K007AB05
, 3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007BB07
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 3K007GA04
, 5C094AA21
, 5C094AA53
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094DB04
, 5C094EA04
, 5C094FB01
, 5C094FB20
, 5C094GB01
, 5G435AA16
, 5G435BB05
, 5G435CC09
, 5G435EE12
, 5G435KK05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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エレクトロルミネッセンス表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-031385
Applicant:三洋電機株式会社
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表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-283179
Applicant:三洋電機株式会社
-
アクティブマトリクス型表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-225433
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-177454
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
薄膜トランジスタの作製方法およびアクティブマトリクス基板の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-333505
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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