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J-GLOBAL ID:200903083038443044
照射野形成装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
磯野 道造
, 多田 悦夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005175604
Publication number (International publication number):2006346120
Application date: Jun. 15, 2005
Publication date: Dec. 28, 2006
Summary:
【課題】荷電粒子ビームの照射深度を調整しつつも、一定なビーム径で照射野を形成することができる照射野形成装置を提供する。【解決手段】加速器で生成した荷電粒子ビームを被検体6に照射する際に、照射野を形成する照射野形成装置1であって、荷電粒子ビームのビーム軸Z上に配設され、荷電粒子ビームの照射深度を調整するレンジシフタ11と、レンジシフタ11の下流に配設され、レンジシフタ11により拡大された荷電粒子ビームのビーム径を一定に調整する2つ以上の収束用電磁石12と、を備えたことを特徴とする照射野形成装置1である。【選択図】図2
Claim (excerpt):
加速器で生成した荷電粒子ビームを被検体に照射する際に、照射野を形成する照射野形成装置であって、
前記荷電粒子ビームのビーム軸上に配設され、前記荷電粒子ビームの照射深度を調整するレンジシフタと、
前記レンジシフタの下流に配設され、前記レンジシフタにより拡大された前記荷電粒子ビームのビーム径を一定に調整する2つ以上の収束用電磁石と、
を備えたことを特徴とする照射野形成装置。
IPC (3):
A61N 5/10
, G21K 3/00
, G21K 1/093
FI (6):
A61N5/10 J
, A61N5/10 H
, A61N5/10 N
, G21K3/00 W
, G21K3/00 Y
, G21K1/093 F
F-Term (9):
4C082AA01
, 4C082AC05
, 4C082AE01
, 4C082AG12
, 4C082AG21
, 4C082AG31
, 4C082AG42
, 4C082AG60
, 4C082AN05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
治療装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-180015
Applicant:株式会社東芝
Cited by examiner (4)
-
ビーム治療装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-038213
Applicant:株式会社東芝
-
治療装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-180015
Applicant:株式会社東芝
-
特開昭53-008500
-
回転ガントリ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-065505
Applicant:株式会社日立製作所
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