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J-GLOBAL ID：200903062239903810

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Inventor：
長谷部 一秀

About 長谷部 一秀

, 
周 保華

About 周 保華


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005048059
Publication number (International publication number)：2006049809
Application date： Feb. 23, 2005
Publication date： Feb. 16, 2006
Summary：
【課題】 原料ガスを間欠的に供給して薄膜を堆積させる際に、その膜質を高く維持することができると共に、成膜レートを大幅に向上させることができる成膜方法を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器内に原料ガスと支援ガスとを間欠的に交互に供給して活性化された前記支援ガスを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、前記原料ガスの供給と同時に前記支援ガスを供給する。これにより、堆積される薄膜の膜質を高く維持することができると共に、成膜レートを大幅に向上させることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
真空引き可能になされた処理容器内に原料ガスと支援ガスとを間欠的に交互に供給して活性化された前記支援ガスを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、 前記原料ガスの供給と同時に前記支援ガスを供給するようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (3)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31
FI (3)：
H01L21/318 B ,  C23C16/34 ,  H01L21/31 C
F-Term (39)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB09 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (8)
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