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J-GLOBAL ID：200903057640910949

プラズマ処理装置

Inventor：
松浦 廣行

About 松浦 廣行

, 
加藤 寿

About 加藤 寿


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003141045
Publication number (International publication number)：2004343017
Application date： May. 19, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：
【課題】ホローカソード放電の発生を抑制し、プラズマによるスパッタ等の発生も抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】被処理体Wに対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、真空引き可能になされた処理容器32と、複数の被処理体を保持して処理容器内へ挿脱される被処理体保持手段40と、処理容器の側壁の一部を凹部状に外側へ窪ませることにより一側が処理容器内に開口されて連通されると共に、処理容器の高さ方向に沿って設けられたプラズマ発生部68と、プラズマ発生部にその長さ方向に沿って設けられてプラズマ発生用の高周波電圧が印加されるべく対向して配置されるプラズマ電極76と、プラズマ発生部内にプラズマ化ガスを供給するプラズマガス供給手段58と、処理容器の外周に設けられる加熱手段94とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置である。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、 真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器と、 複数の前記被処理体を多段に保持して前記処理容器内へ挿脱される被処理体保持手段と、 前記処理容器の側壁の一部を凹部状に外側へ窪ませることにより一側が前記処理容器内に開口されて連通されると共に、前記処理容器の高さ方向に沿って設けられたプラズマ発生部と、 前記プラズマ発生部に、その長さ方向に沿って設けられてプラズマ発生用の高周波電圧が印加されるべく対向して配置されるプラズマ電極と、 前記プラズマ発生部内にプラズマ化されるプラズマ化ガスを供給するプラズマガス供給手段と、 前記処理容器の外周に設けられる加熱手段と、 を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6)：
H01L21/31 ,  B01J19/08 ,  C23C16/505 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46
FI (6)：
H01L21/31 C ,  B01J19/08 E ,  C23C16/505 ,  C23F4/00 A ,  H05H1/46 M ,  H01L21/302 101F
F-Term (75)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BC10 ,  4G075CA02 ,  4G075CA03 ,  4G075CA47 ,  4G075CA62 ,  4G075DA02 ,  4G075EA06 ,  4G075EB01 ,  4G075EC01 ,  4G075EC21 ,  4G075FA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030DA06 ,  4K030EA00 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  4K057DA01 ,  4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE20 ,  4K057DM02 ,  4K057DM06 ,  4K057DM16 ,  4K057DM36 ,  4K057DM37 ,  4K057DM38 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB16 ,  5F004BB24 ,  5F004BB28 ,  5F004BC01 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004DA17 ,  5F004DB03 ,  5F004EA34 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE23 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EB06 ,  5F045EB12 ,  5F045EE14 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開昭62-159433
  • 半導体ウエハーのプラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-081392   Applicant：東京エレクトロン東北株式会社
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-082679   Applicant：新日本製鐵株式会社
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