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J-GLOBAL ID：200903083063549264

面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： 櫻井 淳 ,  坂本 朗 ,  中山 秀生
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997025120
Publication number (International publication number)：1998223973
Application date： Feb. 07, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 光出力特性に特別の影響を与えることなく、偏波面制御を行うことのできる、面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】本発明では、活性層が上部及び下部の半導体多層反射膜により挟まれ、基板面と垂直な方向に光共振器が形成された面発光レーザにおいて、少なくとも上部の半導体多層反射膜が、活性層からの出射光に対してその周囲の領域と反射率の異なる領域を形成してなる反射膜層を、2層以上離間するように複数層互いに離間して配置したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

活性層が上部及び下部の半導体多層反射膜により挟まれ、基板面と垂直な方向に光共振器が形成された面発光レーザにおいて、少なくとも上部の半導体多層反射膜が、活性層からの出射光に対してその周囲の領域と反射率の異なる領域を形成してなる反射膜層を、互いに2層以上離間するように、複数層断続的に配置したことを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 面発光レーザ及び面発光レーザアレイ及び光情報処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-049638   Applicant：日本電気株式会社
• 高効率の縦型空洞表面放出レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-123340   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-295073   Applicant：沖電気工業株式会社
• 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-180933   Applicant：富士ゼロックス株式会社