Pat
J-GLOBAL ID：200903083086541295
磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージおよび封止材料
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
服部 毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002101258
Publication number (International publication number)：2003297983
Application date： Apr. 03, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：
【要約】【課題】 MRAM素子の記録保持信頼性を向上させる。【解決手段】 軟磁性材料を樹脂に混合した軟磁性体含有樹脂複合体を封止樹脂14としてMRAM素子11を封止し、磁気シールドパッケージ10を形成する。これにより、低周波磁界に対しては、透磁率の実部μ’項の寄与により、MRAM素子11への磁束の進入を抑制する。また、高周波磁界に対しては、透磁率の虚部μ”項の寄与により、磁界を熱エネルギーとして吸収し、MRAM素子11への磁束の進入を抑制する。さらに、MRAM素子11の周囲を取り囲んだ状態で封止することにより、様々な方向からの磁束の進入を効果的に抑制することができる。したがって、広い周波数範囲の外部磁界に対し、MRAM素子11の記録保持信頼性を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
磁気不揮発性メモリ素子に対する外部磁界の影響を抑制する磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージにおいて、磁気不揮発性メモリ素子が、軟磁性材料を樹脂に混合した軟磁性体含有樹脂複合体を用いて封止されていることを特徴とする磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージ。
IPC (4)：
H01L 23/29
, G11C 11/15 100
, H01L 23/31
, H01L 27/105
G11C 11/15 100
, H01L 23/30 R
, H01L 27/10 447
4M109AA01
, 4M109CA21
, 4M109EB11
, 4M109EC07
, 5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083ZA23
