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J-GLOBAL ID：200903083094958022

自動整合プログラミングおよび消去領域を備えたNROMセル

Inventor：
ボアズ・エイタン

About ボアズ・エイタン


Applicant, Patent owner：
サイファン・セミコンダクターズ・リミテッド

About サイファン・セミコンダクターズ・リミテッド


Agent (1)： 社本 一夫 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000306999
Publication number (International publication number)：2001156189
Application date： Oct. 06, 2000
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】電気的に消去可能で、かつプログマム可能な窒化物含有の読み取り専用メモリ(NROM)において、消去およびプログラミングサイクル数が多くなっても、セル機能の低下、停止がNROMとプログラミングされたNROMセルを消去する方法の提供。【解決手段】プログラム可能な窒化物含有の読み取り専用メモリ(NROM)セルは、少なくともチャネル100上の酸化物109-窒化物110-酸化物111の層と、少なくとも1個のビットライン接合部に自動整合されたポケットインプラント120上で高温電子注入領域と高温電子注入領域に全体的に自動整合された少なくとも1個のホットホール(R)注入領域を含むことにより達成する。
Claim (excerpt)：
窒化物のプログラム可能な読み取り専用メモリセル(NROM)において、チャンネルと、前記チャンネルの各側における2個の拡散領域であって、各々が前記チャンネルとの接合部を有している拡散領域と、少なくとも前記チャンネル上の酸化物-窒化物-酸化物(ONO)層と、少なくとも前記ONO層の上方のポリシリコンゲートと、前記接合部の少なくとも1個に対して自動整合したポケットインプラントと、前記ONO層内で、かつ前記ポケットインプラント上にある高温電子注入の少なくとも1個の領域と、前記高温電子注入の少なくとも1個の領域に対して全体的に自動整合された高温ホール注入の少なくとも1個の領域と、を含むことを特徴とする窒化物のプラグラム可能な読み取り専用メモリセル。
IPC (4)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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