半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅野中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995190469
Publication number (International publication number)：1996204012
Application date： Jul. 26, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【課題】アスペクト比の増大したコンタクト孔に誘電体材を埋め込む。【解決手段】半導体基板1の表面に拡散層5c,6が形成され、層間絶縁膜17を介して配線16が形成された半導体装置の前記拡散層5c,6と配線16との接続部あるいは配線間の接続部に、これらの接続のためのコンタクト孔13a,13bが前記層間絶縁膜に複数積層して形成され、各コンタクト孔13a,13bに導電体材が充填され且つ互いに電気的接続され、前記拡散層5c,6と配線16間あるいは配線間が前記導電体材を介して電気的に接続される。

Claim (excerpt)：

重層構造のコンタクト孔を有する半導体装置であって、重層構造のコンタクト孔は、下層のコンタクト孔と上層のコンタクト孔との組合わせからなり、半導体基板に形成された拡散層と、その上層部に層間絶縁膜を介して形成された配線との間、或いは多層の配線間を接続するものであり、前記下層のコンタクト孔は、層間絶縁膜の下層に位置する拡散層或いは配線に対応して設けられ、前記上層のコンタクト孔は、前記下層のコンタクト孔と縦方向に接続するように配置して設けられ、前記コンタクト孔は、それぞれ導電体材が充填され且つこれらの導電体材が互いに電気的に接続されて、前記拡散層と配線間或いは多層の配線間を電気的に接続するものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/60 301 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 21/90 A , H01L 27/10 681 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭62-130542
特開平4-072752
配線の構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-327908 Applicant：日本電気株式会社

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