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J-GLOBAL ID:200903083267384957

超高速の核酸配列決定のための電界効果トランジスタ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小野 由己男 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001578944
Publication number (International publication number):2003531592
Application date: Apr. 24, 2001
Publication date: Oct. 28, 2003
Summary:
【要約】電界効果トランジスタ(FET)核酸配列決定装置(102)は、ソース(106)およびドレイン(104)領域ならびにゲート酸化物(136)を含む。FETは、シリコン層(122、126)の間に酸化物層(124)を含むSOIウエハから形成される。ソース/ドレイン金属接点(123、142)に接続されたリード線(116)を介して電圧源(112)によってソースおよびドレインに電位が印加される。金属接点は、絶縁層(144、146)によって容器(108)内の分析溶液から絶縁される。電圧源(117、121)によって動かされるさらなる電極(113、115)および任意の重畳された高周波電圧源(125)または交流音波発生装置(127)は、開口部(118)を通る核酸鎖(111)の動きを容易にする。核酸鎖(111)がゲート電極領域となる開口部(118)を通過すると、核酸塩基(アデニン、チミン、グアニン、またはシトシン)を表す電荷が、チャネル(119)を介してソース(106)およびドレイン(104)間を流れる電流をその間の電界を変えることによって変え、電流計(114)によって測定される。装置(102)は、他の生体分子を配列決定するために用いることもできる。
Claim (excerpt):
少なくとも1つのポリマーを検出するためのシステムであって、少なくとも1つの検出領域を有し、前記検出領域の近くの前記ポリマーの構成要素を表す電荷を検出するようになっている少なくとも1つの半導体装置を含むシステム。
IPC (7):
C12N 15/00 ,  C12M 1/00 ,  C12Q 1/68 ,  G01N 27/00 ,  G01N 33/483 ,  G01N 33/50 ,  H01L 29/66
FI (7):
C12M 1/00 A ,  C12Q 1/68 Z ,  G01N 27/00 Z ,  G01N 33/483 E ,  G01N 33/50 P ,  H01L 29/66 Z ,  C12N 15/00 Z
F-Term (27):
2G045AA35 ,  2G045BA11 ,  2G045DA12 ,  2G045DA13 ,  2G045DA14 ,  2G045JA07 ,  2G060AA06 ,  2G060AC10 ,  2G060AD05 ,  2G060AF01 ,  2G060DA02 ,  2G060DA06 ,  2G060DA09 ,  2G060HC10 ,  4B029AA07 ,  4B029AA23 ,  4B029BB20 ,  4B029FA02 ,  4B029FA12 ,  4B063QA01 ,  4B063QA18 ,  4B063QQ42 ,  4B063QQ52 ,  4B063QR32 ,  4B063QR35 ,  4B063QS40 ,  4B063QX04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent:
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