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J-GLOBAL ID：200903083310131863

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置

Inventor： 山元 哲也 ,  細見 政功 ,  水口 徹也 ,  大場 和博 ,  別所 和宏 ,  曽根 威之 ,  肥後 豊 ,  鹿野 博司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002217108
Publication number (International publication number)：2004063592
Application date： Jul. 25, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】安定して高い抵抗変化率、保磁力の低減等得ることができるようにする。【解決手段】対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、強磁性層の少なくとも一方の中間層と接する側とは反対側に、トップコート層もしくは下地層が配置され、膜面と交叉する方向に、通電することによって磁気抵抗変化を得る構成による磁気抵抗効果素子であって、強磁性層の、中間層と接する側とは反対側に配置されるトップコート層もしくは下地層との間に、トップコート層もしくは下地層と強磁性層との間に上述した特定元素の移動を抑制する移動抑制層を配置した構成とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、上記強磁性層の少なくとも一方の上記中間層と接する側とは反対側に、トップコート層もしくは下地層が配置され、膜面と交叉する方向に、通電することによって磁気抵抗変化を得る構成による磁気抵抗効果素子であって、 上記強磁性層と、該強磁性層の上記中間層と接する側とは反対側に配置される上記トップコート層もしくは下地層との間に、該トップコート層もしくは下地層と上記強磁性層との間の特定元素の移動を抑制する移動抑制層を配置したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6)：

H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10

FI (8)：

H01L43/08 H ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 112 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447

F-Term (15)：

5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA21 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-078702   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-401185   Applicant：株式会社東芝
• 磁性薄膜メモリ素子及びそれを用いた情報記録方法、情報再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-157806   Applicant：キヤノン株式会社
• 磁気薄膜/半導体ハイブリッド素子、該素子を用いたメモリ装置、及び情報読み出し方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-267469   Applicant：キヤノン株式会社