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J-GLOBAL ID：200903071989774093

磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気再生装置

Inventor：
砂井 正之

About 砂井 正之

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斉藤 好昭

About 斉藤 好昭

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中島 健太郎

About 中島 健太郎

, 
天野 実

About 天野 実


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000401185
Publication number (International publication number)：2002204004
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】サイズを縮小化した場合においても十分に高い磁気抵抗比を維持し且つ反転磁界の増大を防止し得る磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気再生装置を提供すること。【解決手段】本発明の磁気抵抗効果素子1は、所定の外部磁場において外部磁場の非印加時に備える磁化の方向を保持する第1の強磁性層3と、上記外部磁場において外部磁場の非印加時に備える磁化の方向が変化し得る第2の強磁性層4と、第1の強磁性層3と第2の強磁性層4との間に介在する第1のトンネル障壁層6とを具備し、第1の強磁性層3、第1のトンネル障壁層4、及び第2の強磁性層6は強磁性トンネル接合を形成し、第2の強磁性層6に含まれる強磁性材料の組成は一般式(CoFe)100-xYxまたは一般式(CoFeNi)100-xYxで表され、前記YはB、Si、Zr、P、Mo、Al、及びNbからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素であることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
所定の外部磁場において前記外部磁場の非印加時に備える磁化の方向を保持する第1の強磁性層と、前記外部磁場において前記外部磁場の非印加時に備える磁化の方向が変化し得る第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に介在する第1のトンネル障壁層とを具備し、前記第1の強磁性層、前記第1のトンネル障壁層、及び前記第2の強磁性層は強磁性トンネル接合を形成し、前記第2の強磁性層に含まれる強磁性材料の組成は一般式(CoFe)100-xYxまたは一般式(CoFeNi)100-xYxで表され、前記YはB、Si、Zr、P、Mo、Al、及びNbからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (7)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01L 27/105
FI (8)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447
F-Term (17)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034CA00 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5F083FZ10 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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