磁性薄膜メモリ素子及びそれを用いた情報記録方法、情報再生方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998157806
Publication number (International publication number)：1999353867
Application date： Jun. 05, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】ビットセルの面積を小さくするほど反磁界が無視できなくなり、磁性層の磁化方向が一定方向に定まらず不安定になる。【解決手段】第1,第2の磁性層1,2の膜面に対し垂直方向に電流を供給し、発生する磁界によって情報を記録する電流路の長tを0.05μm以上、0.2μm以下とする。

Claim (excerpt)：

閉磁路構造の第1の磁性層と、前記第1の磁性層よりも高い保磁力を有する閉磁路構造の第2の磁性層とを非磁性層を介して積層して成り、前記第1,第2の磁性層は左回りもしくは右回りに容易軸を有し、前記第1,第2の磁性層の磁化方向の相対角度によって、異なる抵抗値を有する磁性薄膜メモリ素子であって、前記第1,第2の磁性層の膜面に対し垂直方向に電流を供給し、発生する磁界によって情報を記録する電流路の長さを0.05μm以上、2μm以下とすることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

超高密度、不揮発性強磁性ランダム・アクセス・メモリ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-510871 Applicant：アメリカ合衆国
磁性薄膜メモリおよびその記録方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-234539 Applicant：三菱電機株式会社
磁性薄膜メモリ素子及び磁性薄膜メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244991 Applicant：ティーディーケイ株式会社

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Cited by examiner (4)

超高密度、不揮発性強磁性ランダム・アクセス・メモリ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-510871 Applicant：アメリカ合衆国
磁性薄膜メモリおよびその記録方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-234539 Applicant：三菱電機株式会社
磁性薄膜メモリ素子及び磁性薄膜メモリ
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