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J-GLOBAL ID：200903083315996315

裏面電極型太陽電池素子

Inventor： 高橋 宏明 ,  福井 健次
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000360142
Publication number (International publication number)：2002164556
Application date： Nov. 27, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【目的】 光影面積による効率低下を防止するとともにキャリアの再結合損失を防止した太陽電池素子を提供することを目的とする。【解決手段】 p型シリコン基板の受光面側を粗面状にすると共に、裏面側にp+領域とn+領域を形成し、このp+領域とn+領域上に電極を形成した裏面電極型太陽電池素子であって、前記p型シリコン基板の受光面側に針状の微細な突起を多数形成して粗面状にするとともに、この粗面状部に二酸化珪素膜を形成した。

Claim (excerpt)：

p型シリコン基板の受光面側を粗面状にすると共に、裏面側にp+領域とn+領域を形成し、このp+領域とn+領域上に電極を形成した裏面電極型太陽電池素子において、前記p型シリコン基板の受光面側に針状の微細な突起を多数形成して粗面状にするとともに、この粗面状部に二酸化珪素膜を形成したことを特徴とする裏面電極型太陽電池素子。

FI (2)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 F

F-Term (7)：

5F051AA03 ,  5F051DA20 ,  5F051EA11 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-107881
  
• 太陽電池素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-041617   Applicant：京セラ株式会社
• 光吸収膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-204578   Applicant：日産自動車株式会社
• 太陽電池素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-118239   Applicant：トヨタ自動車株式会社