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J-GLOBAL ID：200903083393181115

ファイバグレーティングの形成方法

Inventor：
小倉 邦男

About 小倉 邦男


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 五十嵐 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998196674
Publication number (International publication number)：2000019334
Application date： Jun. 26, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 強度が高く、信頼性の高いファイバグレーティングの形成方法を提供する。【解決手段】 光ファイバ心線3の被覆2を部分的に除去した後、被覆2を除去した領域の裸光ファイバ1の表面側をファイバグレーティング形成に支障がない紫外光透過性が得られる薄さの樹脂膜7で覆った後、樹脂膜7の表面側から、位相マスク9を介して紫外光(紫外コヒーレント光)を照射することにより、裸光ファイバ1のコア4の屈折率が光軸方向に周期的に変化するファイバグレーティングを形成する。樹脂膜7は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の、紫外光照射熱によって溶融しない耐熱性を有する有機材料により形成し、樹脂膜7の厚みは10μm以下で、紫外光が十分透過し、かつ、干渉光の集束性が低下しないようにする。
Claim (excerpt)：
裸光ファイバの外周側に被覆を設けて形成される光ファイバ心線の前記被覆を部分的に除去し、該被覆を除去した領域の前記裸光ファイバの表面側をファイバグレーティング形成に支障がない紫外光透過性が得られる薄さの樹脂膜で覆った後、該樹脂膜の表面側から紫外光を照射することにより裸光ファイバの光導波路の屈折率が光軸方向に周期的に変化するファイバグレーティングを形成することを特徴とするファイバグレーティングの形成方法。
IPC (2)：
G02B 6/10 ,  G02B 5/18
FI (2)：
G02B 6/10 C ,  G02B 5/18
F-Term (7)：
2H049AA33 ,  2H049AA43 ,  2H049AA59 ,  2H049AA62 ,  2H050AC82 ,  2H050AC84 ,  2H050AD00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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