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J-GLOBAL ID:200903083411633312
蛍石の製造方法及び光リソグラフィー用の蛍石
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998046481
Publication number (International publication number):1999240787
Application date: Feb. 27, 1998
Publication date: Sep. 07, 1999
Summary:
【要約】【課題】 複屈折が充分に小さくて、光リソグラフィーにおける光学系に使用可能な蛍石単結晶が得られ、特に波長250nm以下の光リソグラフィーに使用可能な大口径(φ230mm以上)で光学特性が良好な蛍石単結晶が得られる蛍石単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】 熱処理の最高温度を1020〜1150°Cの範囲にある所定温度(第1温度)として所定時間保持し、かつ前記所定温度(第1温度)より600〜800°Cの範囲(またはその近辺)にある所定温度(第2温度)までの冷却速度を1.2°C/時間以下として、或いは前記所定温度(第1温度)より700〜900°Cの範囲(またはその近辺)にある所定温度(第2温度)までの冷却速度を1.2°C/時間以下として、蛍石単結晶を熱処理することにより、光学特性を向上させた蛍石単結晶を製造する方法。
Claim (excerpt):
熱処理の最高温度を1020〜1150°Cの範囲にある所定温度(第1温度)として所定時間保持し、かつ前記所定温度(第1温度)より600〜800°Cの範囲(またはその近辺)にある所定温度(第2温度)までの冷却速度を1.2°C/時間以下として、或いは前記所定温度(第1温度)より700〜900°Cの範囲(またはその近辺)にある所定温度(第2温度)までの冷却速度を1.2°C/時間以下として、蛍石単結晶を熱処理することにより、光学特性を向上させた蛍石単結晶を製造する方法。
IPC (5):
C30B 11/00
, C01F 11/22
, C30B 29/12
, G02B 1/02
, H01L 21/027
FI (5):
C30B 11/00 Z
, C01F 11/22
, C30B 29/12
, G02B 1/02
, H01L 21/30 515 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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フッ化物結晶及びフッ化物結晶レンズの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-030184
Applicant:キヤノン株式会社
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光リソグラフィー用蛍石
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-134720
Applicant:株式会社ニコン, 応用光研工業株式会社
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特開平4-349199
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半導体熱処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-069249
Applicant:株式会社東芝
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熱処理炉
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-136331
Applicant:島津メクテム株式会社
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光リソグラフィー用光学部材及び投影光学系
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-242448
Applicant:株式会社ニコン
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ウォブリング素子に使用する位相制御素子用の基体、及び光学装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-191941
Applicant:ソニー株式会社
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