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J-GLOBAL ID：200903083427562059

非晶質中間層を用いた高配向性窒化ガリウム系結晶層の形成方法

Inventor： 佐藤 進 ,  佐藤 祐一
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 平山 一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295616
Publication number (International publication number)：2003095799
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 低コストで大面積の高配向窒化ガリウム系結晶層を形成することができる、非晶質中間層を用いた高配向性窒化ガリウム系結晶層の形成方法を提供する。【解決手段】 多結晶金属基板11上に窒化ガリウム系結晶層10を形成する方法において、多結晶金属基板11上に、多結晶金属基板の結晶性に関する情報を窒化ガリウム系結晶層10に伝えないようにするための所定厚さ以上の非晶質中間層12を形成する第一の段階と、非晶質中間層12の上に、窒化ガリウム系結晶層10を形成する第二の段階とから成る。多結晶金属基板11の結晶性に関する情報が窒化ガリウム系結晶層10に伝えられないので、多結晶金属基板の結晶性に関する情報の影響を受けることなく、非晶質中間層12の非晶質性に関する情報に基づいて、良好な結晶配向性を有して形成される。

Claim (excerpt)：

多結晶金属基板上に窒化ガリウム系結晶層を形成する方法において、多結晶金属基板上に、多結晶金属基板の結晶性に関する情報を窒化ガリウム系結晶層に伝えないようにするための所定厚さ以上の非晶質中間層を形成する第一の段階と、上記非晶質中間層の上に、窒化ガリウム系結晶層を形成する第二の段階と、から成ることを特徴とする、非晶質中間層を用いた高配向性窒化ガリウム系結晶層の形成方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (25)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA15 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077SB10 ,  5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F045AA18 ,  5F045AB14 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AE13 ,  5F045AF08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045CA11 ,  5F045DA61 ,  5F045DB09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 紫外可視光放出縦型空洞表面放出レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-368433   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

Cited by examiner (1)

• 紫外可視光放出縦型空洞表面放出レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-368433   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Very strong photoluminescence emission from GaN grown on amorphous silica substrate by gas source MB

Cited by examiner (1)

• Very strong photoluminescence emission from GaN grown on amorphous silica substrate by gas source MB