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J-GLOBAL ID：200903083461816744

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor：
小山 健一

About 小山 健一


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997319753
Publication number (International publication number)：1999154712
Application date： Nov. 20, 1997
Publication date： Jun. 08, 1999
Summary：
【要約】【課題】 メモリセルの高集積化と低電圧化動作の両立化が困難。【解決手段】 半導体基板にソースおよびドレイン電極用の不純物拡散層を有し、不純物拡散層により規定されるチャネル領域上にはゲート絶縁膜を介して第1の浮遊ゲート電極42を有し、不純物拡散層上にはゲート絶縁膜よりも薄いトンネル絶縁膜を介して第2の浮遊ゲート電極47を有し、第1および第2の浮遊ゲート電極と接続する第3の浮遊ゲート電極51を有し、第3の浮遊ゲート電極上に絶縁膜52を介して制御ゲート電極53を有する。
Claim (excerpt)：
半導体基板にソースおよびドレイン電極用の不純物拡散層を有し、該不純物拡散層により規定されるチャネル領域上にはゲート絶縁膜を介して第1の浮遊ゲート電極を有し、前記不純物拡散層上には前記ゲート絶縁膜よりも薄いトンネル絶縁膜を介して第2の浮遊ゲート電極を有し、前記第1および第2の浮遊ゲート電極と接続する第3の浮遊ゲート電極を有し、該第3の浮遊ゲート電極上に絶縁膜を介して制御ゲート電極を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115
FI (3)：
H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 621 A ,  H01L 27/10 434
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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