高耐圧半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999077198
Publication number (International publication number)：2000277726
Application date： Mar. 23, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】縦型スーパージャンクション構造に適応した終端構造を提案し、スーパージャンクションの高耐圧化を実現すること。【解決手段】縦型スーパージャンクション構造を構成するストライプ状のp型層1とn型層2とが交互に存在し、数は奇数個とされ、一番外側の二つのp型層1を除くp型層1とn型層2の層厚み方向のキャリア濃度の積分値がほぼ等しく、しかも、一番外側の二つのp型層1の層厚み方向のキャリア濃度の積分値が他のp型層1とn型層2のそれのほぼ半分に設定され、該ストライプ状のp型層1とn型層2の上端部は高濃度のp型層3と接し、このp型層3は低濃度のp型層(リサーフ層)4に囲まれている。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体領域と、この第1導電型半導体領域に接して形成された第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体領域及び前記第1導電型半導体層に接して形成された第2導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体層に接して形成された第2導電型半導体領域とを備え、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体層は交互に繰り返して配置されており、その最外部の第1導電型半導体層又は前記第2導電型半導体層の層厚み方向のキャリア濃度の積分値が、その内部に配置された前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体層の層厚み方向のキャリア濃度の積分値の概略半分であることを特徴とする高耐圧半導体素子。

FI (4)：

H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 652 F , H01L 29/78 653 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

高電圧MOSトランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-279728 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-004918 Applicant：富士電機株式会社

Cited by examiner (2)

高電圧MOSトランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-279728 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-004918 Applicant：富士電機株式会社

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