高電圧MOSトランジスタ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池内寛幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996279728
Publication number (International publication number)：1998125912
Application date： Oct. 22, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ON抵抗が小さく、しかも製造ばらつきの小さい安定した特性を有する高電圧MOSトランジスタを提供する。【解決手段】 n+ 形の半導体材料からなるドレイン領域124に接した状態でソース領域121の方向及びその反対方向に延長して形成されたn形の半導体材料からなる延長ドレイン領域126を設け、ドレイン領域124と延長ドレイン領域126に接した状態で延長ドレイン領域126の両側にp- 形の半導体材料からなる延長ドレインサイド領域を設ける。基板111と延長ドレインサイド領域との間に逆バイアス電圧を印加して、ゲート電極117の下方のチャネルを通って流れる電流を制御する。

Claim (excerpt)：

第一導電形の高抵抗半導体材料からなる基板と、前記基板の上部に横方向に所定の間隔を置いて設けられた第二導電形の半導体材料からなるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域に接続されたソース接点と、前記ドレイン領域に接続されたドレイン接点と、前記ドレイン領域に接した状態で前記ソース領域方向及びその反対方向に延長して設けられた第二導電形の半導体材料からなる延長ドレイン領域と、前記ドレイン領域と前記延長ドレイン領域に接した状態で前記延長ドレイン領域の両側に設けられた第一導電形の半導体材料からなる延長ドレインサイド領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記基板の上に電気絶縁層を介して設けられたゲート電極とを備え、前記基板と前記延長ドレインサイド領域との間に逆バイアス電圧を印加して、前記ゲート電極の下方のチャネルを通って流れる電流を制御することを特徴とする高電圧MOSトランジスタ。

FI (2)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-107867
特開平4-107870
横型MOS電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-127342 Applicant：松下電子工業株式会社

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