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J-GLOBAL ID：200903083525498164

原料またはガスの供給装置

Inventor： 山内 英彰
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994301013
Publication number (International publication number)：1996157296
Application date： Dec. 05, 1994
Publication date： Jun. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は原料またはガスの供給装置に関し、複雑な構造のノズルでも接ガス部を均一に加熱または冷却でき、また、系の熱非平衡性が大きい条件でもノズル温度の変動を制御できる原料またはガスの供給装置を実現することを目的とする。【構成】 原料ガスまたは蒸気あるいは処理用ガスを基板に供給する装置において、接ガス部の裏面に液体または気体の熱交換媒体2を接触させるように構成する。

Claim (excerpt)：

原料ガスまたは蒸気あるいは処理用ガスを基板に供給する装置において、接ガス部の裏面に液体または気体の熱交換媒体(2)を接触させることを特徴とする原料またはガスの供給装置。

IPC (4)：

C30B 25/14 ,  F28F 27/00 511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• CVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-145335   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-349196
  
• 薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-245565   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭58-069705