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J-GLOBAL ID：200903083642424597

低コスト混合メモリ集積回路の新規な構造、新規なNVRAM構造ならびに混合メモリおよびNVRAMの構造を形成する方法

Inventor： ルイス・ルー=チェン・フー ,  ジャック・アラン・マンデルマン ,  ファリボルツ・アッサデラヒ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998099200
Publication number (International publication number)：1998289980
Application date： Apr. 10, 1998
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 NVRAMセル構造、DRAMセル構造、およびSRAMセル構造を含んでいる半導体メモリデバイス、NVRAMセル構造。 NVRAM、DRAM、もしくはSRAMメモリ構造を一枚の基板上に含んでいるメモリ構造を形成する方法、ならびに新規なNVRAMセル構造を形成する方法の提供。【解決手段】 NVRAMセル構造、DRAMセル構造、およびSRAMセル構造は同一基板上にある。

Claim (excerpt)：

NVRAMセル構造と、DRAMセル構造と、SRAMセル構造とを備えており、前記NVRAMセル構造、前記DRAMセル構造および前記SRAMセル構造が同一基板上にある半導体メモリ・デバイス。

IPC (9)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-293765   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平1-293569
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-294865   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体集積回路装置およびその検査方法およびその検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-113900   Applicant：株式会社東芝