亜鉛含有化合物

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004296709
Publication number (International publication number)：2006104042
Application date： Oct. 08, 2004
Publication date： Apr. 20, 2006
Summary：

【課題】光触媒として利用可能な酸化亜鉛ZnOあるいは酸化亜鉛を含む化合物半導体の機能波長領域を長波長領域へ拡大し、反応効率を向上させる技術を提供すること。【解決手段】酸化亜鉛ZnO、あるいは価電子帯が酸素Oあるいは窒素Nの2p軌道で構成されている酸化亜鉛ZnOを含む亜鉛含有化合物中に存在する、酸素Oあるいは窒素N原子により囲まれた八面体に、ニッケルNi等の遷移金属を挿入し、亜鉛Zn原子周辺の配位子数や配位元素を制御し、また、化学量論組成調整のため、場合によっては亜鉛Znの一部をガリウムGa等の三価元素で置換し、光触媒として好適な電子構造を構築する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

結晶構造中に、亜鉛Znが4つの酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方またはその両方により囲まれた、一辺の長さが2.5オングストロームから4.0オングストロームである四面体ZnO4-xNx(x=0,1,2,3,4)が存在し、かつコバルトCo、ニッケルNi、銅Cuおよび銀Ag以外の金属Mが6つの酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方またはその両方により囲まれた、一辺の長さが2.5オングストロームから4.0オングストロームである八面体MO6-xNx(x=0,1,2,3,4,5,6)または6つの酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方またはその両方により囲まれた、一辺の長さが2.5オングストロームから4.0オングストロームである空の八面体O6-xNx(x=0,1,2,3,4,5,6)が存在する亜鉛含有化合物であって、価電子帯頂上の波動関数が、酸素の2p軌道あるいは窒素の2p軌道、または金属MがタリウムTl、鉛PbあるいはビスマスBiである場合は6s軌道、金属MがガドリニウムGdの場合は4f軌道を主要な成分として含み、八面体内部の金属Mの一部がコバルトCo、ニッケルNi、銅Cuあるいは銀Agにより置換され、または八面体内部の空の空間にコバルトCo、ニッケルNi、銅Cuあるいは銀Agが挿入されていることを特徴とする亜鉛含有化合物。

IPC (5)：

C01G 9/00 , B01J 27/24 , B01J 35/02 , C01B 3/04 , B01D 53/86

FI (5)：

C01G9/00 B , B01J27/24 M , B01J35/02 J , C01B3/04 A , B01D53/36 J

F-Term (57)：

4D048AA21 , 4D048AB03 , 4D048BA16X , 4D048BA17Y , 4D048BA18Y , 4D048BA20Y , 4D048BA22Y , 4D048BA34Y , 4D048BA35X , 4D048BA37Y , 4D048BA38Y , 4D048BA42Y , 4D048BA46X , 4D048EA01 , 4G047AA04 , 4G047AA05 , 4G047AB01 , 4G047AB05 , 4G047AC03 , 4G069AA02 , 4G069BA48A , 4G069BB06A , 4G069BB11A , 4G069BB20A , 4G069BB20B , 4G069BC16A , 4G069BC17A , 4G069BC18A , 4G069BC19A , 4G069BC21A , 4G069BC22A , 4G069BC23A , 4G069BC25A , 4G069BC29A , 4G069BC31A , 4G069BC31B , 4G069BC32A , 4G069BC35A , 4G069BC35B , 4G069BC44A , 4G069BC50A , 4G069BC66A , 4G069BC67A , 4G069BC68A , 4G069BC70A , 4G069BC74A , 4G069BC75A , 4G069BD03A , 4G069CA01 , 4G069CA10 , 4G069CA11 , 4G069CA17 , 4G069CC33 , 4G069EC22X , 4G069EC22Y , 4G069EC24 , 4G069ED04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

亜鉛含有金属酸化物半導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-056848 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

Cited by examiner (5)

p型酸化物半導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-139320 Applicant：小林健吉郎, 富士電機株式会社
酸化亜鉛基層状化合物を内包した構造を持つ酸化亜鉛材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-228226 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
窒素含有酸化亜鉛粉末およびその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-369546 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

新規可視光応答型光触媒ZnO-GaN固溶体の調製条件の検討と光触媒活性

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