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J-GLOBAL ID：200903083701528466

ZnO系焼結体およびその製法

Inventor： 高梨 昌二
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 鴨田 朝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997337256
Publication number (International publication number)：1999171539
Application date： Dec. 08, 1997
Publication date： Jun. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 長期的にDCスパッタリング中の異常放電の発生が少なく、特性の優れた透明導電性膜を効率よく成膜することが可能であり、かつ、生産性よく安価なスパッタリングターゲット用ZnO系焼結体を提供する。【解決手段】 本願発明のZnO系焼結体は、Bを0.5〜13原子%、およびAl、Ga、In、Ge、Si、SnおよびTiからなる群より選ばれた1種以上の第3元素を0.3〜3原子%含有し、実質的に亜鉛と硼素と前記第3元素の複合酸化物からなり、焼結密度が4.8g/cm3 以上で、結晶平均粒径が4〜15μmである。

Claim (excerpt)：

Bを0.5〜13原子%、および、Al、Ga、In、Ge、Si、SnおよびTiからなる群より選ばれた1種以上の第3元素を0.3〜3原子%含有し、実質的に亜鉛と硼素と前記第3元素の複合酸化物からなることを特徴とするZnO系焼結体。

IPC (3)：

C01G 9/02 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34

FI (3)：

C01G 9/02 A ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/34 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 酸化亜鉛系透明導電膜及びその作製法並びにそれに使用するスパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-101855   Applicant：株式会社ジャパンエナジー
• 特開平4-104937
  
• ターゲットおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-315084   Applicant：出光興産株式会社