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J-GLOBAL ID：200903083711769054

ダイヤモンド薄膜用基板及びダイヤモンド膜の作製法

Inventor：
林 靖彦

About 林 靖彦

, 
曽我 哲夫

About 曽我 哲夫

, 
神保 孝志

About 神保 孝志


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 小倉 亘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001281223
Publication number (International publication number)：2003089595
Application date： Sep. 17, 2001
Publication date： Mar. 28, 2003
Summary：
【要約】【目的】 シリコン基板を用いてダイヤモンド薄膜用基板を作製し、大面積のダイヤモンド薄膜を作製する。【構成】 このダイヤモンド薄膜用基板は、シリコン基板の上に、非晶質のSiOx,SiNxを単独又は複合した下層及びTiO2の上層からなる中間層を介して、Pt薄膜が堆積されている。中間層及びPt薄膜を堆積させたシリコン基板をAr-O2の混合ガス雰囲気中で600〜1000°Cに長時間加熱保持することが好ましい。Pt薄膜が形成されたシリコン基板に超音波処理を施し、或いはダイヤモンドペーストを摺擦すると、ダイヤモンド薄膜成長に有効なダイヤモンド核が多数発生する。ダイヤモンド薄膜用基板の側面をPtで覆い、導電性シリコン基板にダイヤモンド薄膜用基板を接触させた状態で、CVD法でダイヤモンド粒子を気相合成させることによりダイヤモンド薄膜が作製される。
Claim (excerpt)：
シリコン基板の上に、非晶質のSiOx,SiNxを単独又は複合した下層及びTiO2の上層からなる中間層を介して、Pt薄膜が堆積されていることを特徴とするダイヤモンド薄膜用基板。
IPC (3)：
C30B 29/04 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/205
FI (4)：
C30B 29/04 Q ,  C30B 29/04 E ,  C23C 14/06 N ,  H01L 21/205
F-Term (26)：
4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077EE05 ,  4G077EF01 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TB07 ,  4G077TK08 ,  4K029AA06 ,  4K029BA13 ,  4K029BA46 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029GA01 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE23 ,  5F045AF10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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