堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995114407
Publication number (International publication number)：1996316150
Application date： May. 12, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】電子写真感光体の特性ムラを抑え、膜剥がれ,傷の耐久性を向上させる。【構成】中空柱状の堆積室1111内に、長方形状又は柱状の基体1112を設置し、該堆積室内に導入された、少なくともシリコン原子を含んだ原料ガスを高周波電力により分解し、該基体上に少なくともシリコン原子を母材とする非結晶質材料を堆積せしめる堆積膜形成装置において、前記基体を所望の温度に設定する基体加熱手段1113の発熱量が、基体の長さ方向のいずれか一方の端部側又は両方の端部側で多く、中央部で少なくなるように設定し、基体の長さ方向に温度勾配を持たせた。

Claim (excerpt)：

上面又は/及び下面側に排気系と接続するための排気口を備えた中空柱状の堆積室内に、該中空柱状の堆積室の長さ方向と堆積面の長さ方向が略平行となるように長方形状又は柱状の基体を設置し、該堆積室内に導入された、少なくともシリコン原子を含んだ原料ガスを高周波電力により分解し、該基体上に少なくともシリコン原子を母材とする非結晶質材料を堆積せしめる堆積膜形成装置において、前記基体を所望の温度に設定する基体加熱手段の発熱量が、基体の長さ方向のいずれか一方の端部側又は両方の端部側で多く、中央部で少なくなるように設定し、基体の長さ方向に温度勾配を持たせたことを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , G03G 5/08 360

FI (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , G03G 5/08 360

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

超短波を用いたプラズマCVD法及び該プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-051776 Applicant：キヤノン株式会社
ガス処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-352053 Applicant：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社

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