成膜装置、成膜方法、これにより成膜された基板及びこの基板を用いた液晶装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上柳雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000285937
Publication number (International publication number)：2002100621
Application date： Sep. 20, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】コンタクトホールにおける膜界面の形状を良好にする。【解決手段】成膜開始直前においては、ディスパージョンヘッド152の開口部をディスパージョンヘッドカバー(D/Hカバー)150によって閉塞する。D/Hカバー150で開口部を閉塞した状態では、基板149にガスは供給されない。この状態で、TEBガスをディスパージョンヘッド152内に流して、ガスの置換を行う。予備置換が終了すると、D/Hカバー150を移動させ、ヒータ151に吸着された基板149を開口部上に配置する。これにより、基板149にガスが供給されて成膜が開始される。成膜開始時点において、ディスパージョンヘッド152内にTEBガスが充満しているので、成膜開始時における界面のエッチング比率の変化が抑制され、界面形状が良好となる。

Claim (excerpt)：

オゾンTEOS常圧CVDによる成膜直前に、複数の成膜ガスのうち少なくともTEBソースを基板へのガスの供給部に流して、ガスが前記基板に接触しない状態で、前記ガスの供給部内のガスの置換を行う予備置換手順と、予備置換終了後に、前記ガスの供給部からのガスを前記基板に供給して成膜を開始する成膜手順とを具備したことを特徴とする成膜方法。

IPC (7)：

H01L 21/31 , C23C 16/455 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 342 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (7)：

H01L 21/31 B , C23C 16/455 , G09F 9/00 342 Z , H01L 21/28 M , H01L 21/316 X , G02F 1/136 500 , H01L 21/90 K

F-Term (130)：

2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA46 , 2H092JB56 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KB22 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA19 , 2H092MA27 , 2H092NA11 , 2H092NA16 , 2H092PA01 , 2H092PA02 , 2H092PA06 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030AA20 , 4K030BA29 , 4K030BA30 , 4K030BB03 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030DA02 , 4K030DA06 , 4K030EA03 , 4K030EA05 , 4K030HA02 , 4K030JA09 , 4K030JA11 , 4K030KA12 , 4K030KA23 , 4K030KA46 , 4K030LA18 , 4M104AA01 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB19 , 4M104BB24 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD06 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD12 , 4M104DD16 , 4M104DD19 , 4M104DD37 , 4M104DD63 , 4M104EE02 , 4M104EE12 , 4M104EE15 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 4M104HH15 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH17 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ38 , 5F033LL04 , 5F033NN32 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ22 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033RR04 , 5F033RR13 , 5F033RR15 , 5F033RR22 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS12 , 5F033SS13 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033VV15 , 5F033XX02 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045BB04 , 5F045CA15 , 5F045DC52 , 5F045DC57 , 5F045DP05 , 5F045EE15 , 5F045EE18 , 5F045EF18 , 5F045EF20 , 5F045HA01 , 5F045HA13 , 5F045HA14 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BE10 , 5F058BF03 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF33 , 5F058BH13 , 5F058BJ05 , 5G435AA17 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435HH14 , 5G435KK05 , 5G435KK10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

シリカ膜の形成方法及び電子部品の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-010570 Applicant：旭電化工業株式会社
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-246405 Applicant：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
特開平2-015629

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