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J-GLOBAL ID：200903083789421011

窒化物半導体の結晶成長方法

Inventor： 趙 晟煥 ,  奥村 元 ,  清水 三聡
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000203793
Publication number (International publication number)：2002029896
Application date： Jul. 05, 2000
Publication date： Jan. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 結晶中の格子欠陥、転移、および界面の荒さ等を生じることなく、サファイア基板上にバッファ層および窒化物半導体結晶を成長させること。【解決手段】 本発明は、プラズマ法により生成し得た原子状窒素をサファイア基板上に照射することにより該サファイア基板表面上にAlN膜を形成するAlN膜成長方法であって、前記サファイア基板を200°C以下に保持して原子状窒素を照射することを特徴とするAlN膜(バッファ層)の成長方法に関する。さらに、本発明は、上記バッファ層を用いた窒化物半導体結晶の成長方法に関する。

Claim (excerpt)：

プラズマ法により生成した原子状窒素をサファイア基板上に照射することにより該サファイア基板表面上にAlN膜を形成するAlN膜成長方法であって、前記サファイア基板を200°C以下に保持して原子状窒素を照射することを特徴とするAlN膜の成長方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

C30B 29/38 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (28)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AC15 ,  5F045AD05 ,  5F045AD11 ,  5F045AE07 ,  5F045AE09 ,  5F045AF09 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045EH01 ,  5F045EM01 ,  5F045EM09 ,  5F045HA04