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J-GLOBAL ID:200903083794280566

電子的に可変な密度プロファイルを有するプラズマ源

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996229208
Publication number (International publication number):1997120898
Application date: Jul. 26, 1996
Publication date: May. 06, 1997
Summary:
【要約】【課題】 電子的に可変な密度プロファイルを有するプラズマ源を提供する。【解決手段】 プラズマキャビティを内部に画成するチャンバ体を含むプラズマシステムであって、第1アンテナがプラズマキャビティに関して操作中に基板上方において中央にピークがくるプラズマ密度プロファイルが得られるように形作られ且つ位置し、第2アンテナがプラズマチャンバに関して操作中に基板上方において中央が中空になるプラズマ密度プロファイルが得られるように形作られ且つ位置する、基板を処理するためのプラズマシステムを提供する。
Claim (excerpt):
基板を処理するためのプラズマシステムにおいて、プラズマキャビティを画成するチャンバ本体と、前記プラズマキャビティに関して、操作中に基板上方において中央にピークがくるプラズマ密度プロファイル(profile)を作り出すように構成され、配置された第1のアンテナと、前記プラズマチャンバに関して、操作中に基板上方において中央が中空になるプラズマ密度プロファイルを作り出すように構成され、配置された第2のアンテナと、を含むプラズマシステム。
IPC (2):
H05H 1/46 ,  H01L 21/3065
FI (2):
H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • プラズマ処理方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-338764   Applicant:東京エレクトロン株式会社
  • 誘導プラズマの発生方法および装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-204381   Applicant:富士電機株式会社, 作田忠裕
  • 特開昭57-007100

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