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J-GLOBAL ID：200903083805164695

カーボンの製造方法

Inventor： 尾野 成樹
Applicant, Patent owner： 財団法人地球環境産業技術研究機構 ,  株式会社島津製作所
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999159353
Publication number (International publication number)：2000344506
Application date： Jun. 07, 1999
Publication date： Dec. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低温、常圧かつ低コストでナノパーティクルやナノカプセルを製造する。【解決手段】 ゾル-ゲル法により調製してシリカに坦持させた粒状のNi/SiO2(Niが50wt%)を触媒3として反応管1に充填し、電気炉7により触媒3を700°Cに加熱し、混合比が水素:二酸化炭素=2:1の混合ガスを反応管1内に流す。混合ガス中の二酸化炭素は触媒3に接触することにより接触水素還元され、触媒3から離れた位置にナノパーティクルが析出する。

Claim (excerpt)：

少なくとも二酸化炭素及び水素を含む混合ガスを450〜750°Cの反応温度にて遷移金属触媒に接触させ、二酸化炭素を接触水素還元することにより、ナノパーティクルを析出させることを特徴とするカーボンの製造方法。

IPC (4)：

C01B 31/02 101 ,  H01M 4/58 ,  A61K 31/00 635 ,  A61K 33/24

FI (4)：

C01B 31/02 101 F ,  H01M 4/58 ,  A61K 31/00 635 ,  A61K 33/24

F-Term (17)：

4C086AA01 ,  4C086HA06 ,  4C086MA37 ,  4C086NA20 ,  4C086ZB26 ,  4G046CA01 ,  4G046CB02 ,  4G046CB09 ,  4G046CC01 ,  4G046CC08 ,  5H003AA08 ,  5H003BA01 ,  5H003BA07 ,  5H003BB01 ,  5H003BC01 ,  5H003BD00 ,  5H003BD01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• カーボンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-242786   Applicant：株式会社島津製作所, 財団法人地球環境産業技術研究機構
• グラファイト状炭素の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-233063   Applicant：株式会社島津製作所, 財団法人地球環境産業技術研究機構