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J-GLOBAL ID:200903083805164695

カーボンの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 野口 繁雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999159353
Publication number (International publication number):2000344506
Application date: Jun. 07, 1999
Publication date: Dec. 12, 2000
Summary:
【要約】【課題】 低温、常圧かつ低コストでナノパーティクルやナノカプセルを製造する。【解決手段】 ゾル-ゲル法により調製してシリカに坦持させた粒状のNi/SiO2(Niが50wt%)を触媒3として反応管1に充填し、電気炉7により触媒3を700°Cに加熱し、混合比が水素:二酸化炭素=2:1の混合ガスを反応管1内に流す。混合ガス中の二酸化炭素は触媒3に接触することにより接触水素還元され、触媒3から離れた位置にナノパーティクルが析出する。
Claim (excerpt):
少なくとも二酸化炭素及び水素を含む混合ガスを450〜750°Cの反応温度にて遷移金属触媒に接触させ、二酸化炭素を接触水素還元することにより、ナノパーティクルを析出させることを特徴とするカーボンの製造方法。
IPC (4):
C01B 31/02 101 ,  H01M 4/58 ,  A61K 31/00 635 ,  A61K 33/24
FI (4):
C01B 31/02 101 F ,  H01M 4/58 ,  A61K 31/00 635 ,  A61K 33/24
F-Term (17):
4C086AA01 ,  4C086HA06 ,  4C086MA37 ,  4C086NA20 ,  4C086ZB26 ,  4G046CA01 ,  4G046CB02 ,  4G046CB09 ,  4G046CC01 ,  4G046CC08 ,  5H003AA08 ,  5H003BA01 ,  5H003BA07 ,  5H003BB01 ,  5H003BC01 ,  5H003BD00 ,  5H003BD01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (2)
  • カーボンの製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-242786   Applicant:株式会社島津製作所, 財団法人地球環境産業技術研究機構
  • グラファイト状炭素の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-233063   Applicant:株式会社島津製作所, 財団法人地球環境産業技術研究機構

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