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J-GLOBAL ID：200903083829095953

キャパシタンス素子、及びキャパシタンス素子製造方法

Inventor： 谷 典明 ,  鄒 紅▲こう▼ ,  鈴木 郁生 ,  石川 道夫 ,  中村 久三
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 石島 茂男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995081897
Publication number (International publication number)：1996250660
Application date： Mar. 14, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 大きな静電容量のキャパシタンス素子を提供する。【構成】 基板3上に白金を主成分とする下部電極膜5を成膜する際に界面改質剤を添加しておき、その表面に酸化物誘電体薄膜6を成膜すると、界面近傍の前記酸化物誘電体薄膜6の比誘電率が大きくなるので静電容量の大きなキャパシタンス素子8を得ることができる。前記酸化物誘電体薄膜6として、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ハ ゙リウム、チタン酸ハ ゙リウムストロンチウム、チタン酸鉛、シ ゙ルコン酸チタン酸鉛、シ ゙ルコン酸チタン酸鉛ランタン、タンタル酸ヒ ゙スマスストロンチウムを用いることができ、また、前記界面改質剤としては、ルテニウム、ロシ ゙ウム、レニウム、オスミウム、イリシ ゙ウムから1又は2以上の金属を選択することができ、白金薄膜中に1原子パーセント以上20原子パーセント以下の割合で添加することが望ましい。

Claim (excerpt)：

基板上に成膜され、白金を主成分とする下部電極膜と、該下部電極膜表面に成膜された酸化物誘電体薄膜とを有するキャパシタンス素子において、前記下部電極膜には、該下部電極膜近傍の前記酸化物誘電体薄膜の誘電率を向上させる界面改質剤が添加されたことを特徴とするキャパシタンス素子。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強誘電体コンデンサ及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-099773   Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
• 半導体装置及びその電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-205711   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 配向性強誘電体薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-358050   Applicant：富士ゼロックス株式会社