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J-GLOBAL ID：200903083859221350

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 木下 勝治 ,  寺尾 元康 ,  松岡 秀行 ,  笹子 佳孝 ,  木村 嘉伸 ,  島 明生 ,  田井 光春 ,  高浦 則克
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (2)： 井上 学 ,  戸田 裕二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007292723
Publication number (International publication number)：2009123725
Application date： Nov. 12, 2007
Publication date： Jun. 04, 2009
Summary：

【課題】記録材料と選択素子の両方を薄膜で形成する場合、書換え動作等の熱により、記録材料層と隣接する層からの記録材料への原子拡散を防止し、安定な書換え条件を保つ相変化メモリを提供する。【解決手段】相変化メモリは、第一金属配線層102上に、第一ポリシリコン層107、第二ポリシリコン層106、半導体層105、不揮発性記録材料層104、第二金属配線層103、第三金属配線層101を順に積層した構造である。不揮発性記録材料層104と第一、第二ポリシリコン層107、106との間に、5nm以上200nm以下の膜厚の半導体層105が設けられているので、書換え動作の際に発生する熱によりpnポリシリコンダイオード内に不純物としてドーピングされている原子が不揮発性記録材料層104まで拡散することを抑制することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電極と、 第2電極と、 前記第1電極および前記第2電極との間に形成された、不揮発性記録材料層および選択素子と、 前記不揮発性記録材料層と前記選択素子との間に形成された、前記不揮発性記録材料層に含まれる元素を含む半導体層と、 を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4)：

H01L27/10 448 ,  H01L27/10 481 ,  H01L45/00 A ,  H01L49/00 Z

F-Term (19)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA31 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083LA01 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA01 ,  5F083ZA30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 相変化メモリ装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-569564   Applicant：株式会社東芝
• 不揮発性メモリおよびその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-305518   Applicant：ソニー株式会社