不揮発性メモリおよびその駆動方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999305518
Publication number (International publication number)：2001127263
Application date： Oct. 27, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：

【要約】【課題】記録の消去、書き込みおよび読み出しが可能で、かつメモリセルの構造を単純化するとともに、高密度情報記録を可能とする。【解決手段】室温下において「高温相」および「低温相」の2つの安定した相を有する相変化薄膜4と、この相変化薄膜4に直列に接続された、p+ 型領域9およびn+ 型領域8からなるnp接合とからメモリセルを構成する。上部電極6aおよび下部電極7aに所定の電圧を印加してメモリセルMC11中に電流を流し、相変化薄膜4の相を変化させることにより、データを書き込む。メモリセルMC11中に電流を流して相変化薄膜4の相の状態を読み取ることにより、データを読み出す。

Claim (excerpt)：

室温下において少なくとも2つ以上の安定した相を有する相変化薄膜と、上記相変化薄膜に直列に接続されたスイッチ素子とからなるメモリセルを有することを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (2)：

H01L 27/10 451 , G11C 16/04

FI (2)：

H01L 27/10 451 , G11C 17/00 625

F-Term (10)：

5B025AA07 , 5B025AC02 , 5B025AE08 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083JA02 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA42 , 5F083JA44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

不揮発性メモリセル内のマルチステート材料と共に使用するスタック/トレンチダイオード
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-501478 Applicant：ミクロンテクノロジーインコーポレイテッド
メモリ及び情報機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-008170 Applicant：ソニー株式会社
電気的消去可能型相転移メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-006940 Applicant：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド

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