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J-GLOBAL ID：200903083985380455

半導体装置の製造装置

Inventor： 松下 卓生 ,  渡辺 豊 ,  石崎 武士
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005045045
Publication number (International publication number)：2005210138
Application date： Feb. 22, 2005
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】膜剥がれやリーク電流の発生を抑制した、HSGの形成方法を提供する。【解決手段】ウェハ1表面にドープドポリシリコン膜2を堆積し、ウェハ1の裏面に堆積されたポリシリコン膜2を除去し、ウェハ1表面を洗浄する。ここで、ドープドポリシリコン膜2上に自然酸化膜3と飛散していた有機物4が膜上に堆積される。次に、ウェハ1両面にエキシマUV光を照射する。その後、IPA洗浄により自然酸化膜3の除去を行い、CVD法を用いてHSG5を堆積する。その結果、有機物4によるHSG5形成不良が低減されるため、歩留まりの低下を防ぐことが出来る。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

チャンバの端部に、ガス導入機構とガス排出機構とウェハ搬入口とウェハ搬出口を有し、 前記ガス導入機構と前記ガス排出機構は前記チャンバの両端に対向するように配置されており、 前記チャンバ内に、ウェハ保持部と光照射機構とを有し、 前記光照射機構は、前記ウェハ保持部に対して上下から光を照射することを特徴とする、半導体装置の製造装置。

IPC (3)：

H01L21/304 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

FI (2)：

H01L21/304 645D ,  H01L27/10 621C

F-Term (7)：

5F083AD24 ,  5F083AD62 ,  5F083GA27 ,  5F083JA33 ,  5F083PR00 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-276983   Applicant：株式会社日立製作所
• 紫外線照射装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-346767   Applicant：株式会社テクノ・プレックス