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J-GLOBAL ID：200903084036980243

半導体ナノ構造体及びその作製方法

Inventor：
間野 高明

About 間野 高明

, 
小口 信行

About 小口 信行


Applicant, Patent owner：
独立行政法人物質・材料研究機構

About 独立行政法人物質・材料研究機構


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004241522
Publication number (International publication number)：2006060088
Application date： Aug. 20, 2004
Publication date： Mar. 02, 2006
Summary：
【課題】 加工損傷がなく高品質で多様な構造形態の半導体ナノ構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 この出願の発明の半導体ナノ構造体の作製方法は、基板上に化合物半導体(AB)の構成元素Aの金属液滴を液滴エピタキシーにより形成し、構成元素Aの金属液滴に構成元素Bのビームを照射して化合物半導体(AB)が結晶化したナノ構造体を作製する際に、結晶化条件を制御することにより、得られるナノ構造体の構造を制御することを特徴とする。得られるナノ構造体の構造は、たとえば量子ドット、二重結合量子ドット、四重結合量子ドット、単一量子リング、同心二重量子リングとなる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
化合物半導体のナノ構造体であって、2つの量子ドットが隣接して結合配置している二重結合量子ドットであることを特徴とする半導体ナノ構造体。
IPC (4)：
H01L 29/06 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  H01L 21/208
FI (5)：
H01L29/06 601D ,  H01L29/06 601Q ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/208 V
F-Term (4)：
5F053AA44 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特開平3-116822号公報
Cited by examiner (3)
  • 半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-158957   Applicant：株式会社東芝
  • 電子機能素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-318154   Applicant：株式会社東芝
  • 特開平3-116822
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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