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J-GLOBAL ID:200903001167841300
電子機能素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997318154
Publication number (International publication number):1999150261
Application date: Nov. 19, 1997
Publication date: Jun. 02, 1999
Summary:
【要約】【課題】 量子ドット等のサイズや位置を制御でき、特性のばらつきが抑制された素子を得る。【解決手段】 基板表面側に形成された少なくとも一つの段差7と、この段差7の側壁部に形成された量子ドット1と、この量子ドット1に流れる電流を制御する制御電極2とを有し、量子ドット1に流れる電流は単一電子トンネル効果に基づいて制御される。
Claim (excerpt):
基板表面側に形成された少なくとも一つの段差と、この段差の側壁部に形成された被制御領域と、この被制御領域に流れる電流を制御する制御電極とを有することを特徴とする電子機能素子。
IPC (6):
H01L 29/66
, H01L 27/10 451
, H01L 29/06
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
FI (4):
H01L 29/66
, H01L 27/10 451
, H01L 29/06
, H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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特開平3-038824
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極微細トンネル障壁の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-007362
Applicant:日本電気株式会社
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量子素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-232803
Applicant:松下電器産業株式会社
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