半導体異種構造レーザー

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小野由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993332175
Publication number (International publication number)：1995162072
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】基本光の周波数の2倍の周波数を有する光を効率的に発生させる。【構成】半導体異種構造レーザーは、半導体基板と、多層光出力部と、活性非線形導波部とを含む。多層光出力部は、基本周波数の基本光を出力する光源として作用する。活性非線形導波部は、基本光を吸収し、基本光の周波数を2倍として結局2倍周波数光を出力する多数の多層異種構造を含む。多層異種構造は発振器構造を有する。効率的な動作のため、第1屈折的ミラーが半導体基板と多層光出力部との間に形成され、第2屈折的ミラーが多層光出力部と活性非線形導波部との間に形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、基本周波数の基本光を発生するために前記半導体基板上に形成されている多層光出力部と、少なくとも一つの多層異種構造を含み、多層異種構造は発振器構造を有し、前記基本光を吸収してその周波数を2倍にして2倍の周波数光を出力する活性非線形導波部と、を備えた半導体異種構造レーザー。

IPC (2)：

H01S 3/109 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-303984
特開平4-014024
面発光型第2高調波生成素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-122583 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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