ガスセンサ用薄膜、ガスセンサ用素子体およびガスセンサ用素子体の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：大井正彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006200971
Publication number (International publication number)：2007071866
Application date： Jul. 24, 2006
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】検知対象ガスに対する高い応答性が得られると共に、繰り返し用いることができるガスセンサ用薄膜、ガスセンサ用素子体、およびこれの製造方法の提供。【解決手段】ガスセンサ用薄膜は、VIII族金属の微粒子が三酸化タングステンよりなる薄膜状の基材中に分散されてなるものであって、薄膜状の基材を構成する三酸化タングステンの少なくとも一部が非晶質状態であることを特徴とする。このVIII族金属の微粒子の全部が薄膜状の基材の内部に埋没された状態とされていることが好ましい。また、薄膜状の基材を構成する三酸化タングステンが多孔質状態であることが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

VIII族金属の微粒子が三酸化タングステンよりなる薄膜状の基材中に分散されてなるガスセンサ用薄膜であって、前記薄膜状の基材を構成する三酸化タングステンの少なくとも一部が非晶質状態であることを特徴とするガスセンサ用薄膜。

IPC (3)：

G01N 31/22 , G01N 21/77 , G01N 21/78

FI (5)：

G01N31/22 121A , G01N21/77 A , G01N21/78 Z , G01N31/22 121P , G01N31/22 122

F-Term (23)：

2G042AA01 , 2G042BB02 , 2G042BB06 , 2G042BB14 , 2G042BB17 , 2G042BB18 , 2G042BE10 , 2G042CB01 , 2G042DA03 , 2G042DA07 , 2G042DA08 , 2G042FA19 , 2G042FB05 , 2G042HA07 , 2G054CA04 , 2G054CA05 , 2G054CA10 , 2G054EA04 , 2G054FA21 , 2G054FA27 , 2G054GA03 , 2G054GB01 , 2G054GE03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

ガスセンサ用の膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-133239 Applicant：岡崎慎司, 中川英元, 朝倉祝治, 富士電機株式会社

Cited by examiner (7)

ガスセンサ用の膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-133239 Applicant：岡崎慎司, 中川英元, 朝倉祝治, 富士電機株式会社
特開昭60-211347
水処理用触媒及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-092265 Applicant：サンデン株式会社

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