フラッシュメモリのリマッピング方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005026846
Publication number (International publication number)：2005222550
Application date： Feb. 02, 2005
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：

【課題】フラッシュメモリのあらゆる領域を均一に使用可能にして、フラッシュメモリの寿命を延長できるフラッシュメモリのリマッピング方法を提供するとともに、ユーザーのデータ記録要請を処理するためのフラッシュメモリへの接近回数を最小化してユーザーに速い応答を提供する。【解決手段】所定の論理ユニットにマッピングされていない複数の物理ユニットを削除回数によって並べる第1段階と、前記削除回数の少ない順に物理ユニットを所定の論理ユニットにマッピングする第2段階とを含むフラッシュメモリのリマッピング方法。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

所定の論理ユニットにマッピングされていない複数の物理ユニットを削除回数によって並べる第1段階と、前記削除回数の少ない順に物理ユニットを所定の論理ユニットにマッピングする第2段階とを含むことを特徴とするフラッシュメモリのリマッピング方法。

IPC (3)：

G06F12/16 , G06F12/00 , G06F12/02

FI (6)：

G06F12/16 310A , G06F12/00 542K , G06F12/00 542L , G06F12/00 597U , G06F12/02 530C , G06F12/02 570A

F-Term (11)：

5B018GA04 , 5B018HA23 , 5B018HA24 , 5B018MA06 , 5B018NA06 , 5B060AA08 , 5B060AA10 , 5B060AB26 , 5B082CA08 , 5B082CA11 , 5B082JA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

データ消去回数に制限のあるメモリの制御方法及びこの方法を用いた装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-255809 Applicant：富士通株式会社
一括消去型不揮発性メモリおよびそれを用いる半導体ディスク装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035228 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
書き込み回数の制限とウエアレベリングを可能にしたフラッシュメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-008507 Applicant：富士通株式会社

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Cited by examiner (7)

データ消去回数に制限のあるメモリの制御方法及びこの方法を用いた装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-255809 Applicant：富士通株式会社
一括消去型不揮発性メモリおよびそれを用いる半導体ディスク装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035228 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
書き込み回数の制限とウエアレベリングを可能にしたフラッシュメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-008507 Applicant：富士通株式会社

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