フラッシュROM管理方法及び装置及びコンピュータ制御装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995251237
Publication number (International publication number)：1997097217
Application date： Sep. 28, 1995
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】消去対象となった消去単位内に存在する有効データの保存を、高い安全性と迅速性をもって実行することを可能とする。【解決手段】CPU5は、データ領域、及びこれに対応する管理領域とでセクタを構成し、各セクタの記憶状態を示す状態情報に基づいてフラッシュROM15の記憶管理を行う。電源種別が電池7であった場合は、フラッシュROM15の一つの消去ブロックについて、前記状態情報に基づいてデータ領域に有効データが存在するセクタを抽出し、その内容フラッシュROM15を優先的に用いて移動させて当該消去ブロックを消去する。また、電源種別がACアダプタ23であれば、複数の消去ブロックについて、データ領域に有効データが存在するセクタを状態情報に基づいて抽出し、その内容をDRAM14を積極的に用いてに移動させて、該複数の消去ブロックを消去する。

Claim (excerpt)：

データ領域、及びデータ領域に対応する管理領域とで構成される複数の記憶ブロックをフラッシュROMに形成し、各記憶ブロックにおいてデータ領域の記憶状態を示す状態情報を管理領域に格納し、該状態情報に基づいてフラッシュROMのアクセスを管理する管理手段と、フラッシュROM内の一つの消去ブロックについて、前記状態情報に基づいてデータ領域に有効データが存在する記憶ブロックを抽出し、その内容を移動させて当該消去ブロックを消去する第1消去手段と、複数の消去ブロックについてデータ領域に有効データが存在する記憶ブロックを状態情報に基づいて抽出し、その内容をランダムアクセスメモリを含めた記憶領域に移動させて、該複数の消去ブロックを消去する第2消去手段と、当該フラッシュROMが装着された装置への供給電源の種別に基づいて前記第1消去手段か前記第2消去手段のいずれかを選択して消去動作を実行する実行手段とを備えることを特徴とするフラッシュROM管理装置。

IPC (3)：

G06F 12/16 310 , G06F 12/00 501 , G11C 16/06

FI (3)：

G06F 12/16 310 A , G06F 12/00 501 H , G11C 17/00 309 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-197318 Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
フラッシュメモリを使用した記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-318159 Applicant：株式会社日立製作所
不揮発性半導体メモリのファイル構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-356593 Applicant：インテル・コーポレーション

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