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J-GLOBAL ID：200903084489169716

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
中村 孝

About 中村 孝

, 
檪村 浩

About 檪村 浩


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 小栗 昌平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001254696
Publication number (International publication number)：2002141483
Application date： Aug. 24, 2001
Publication date： May. 17, 2002
Summary：
【要約】【課題】 経年劣化および分極反転の繰り返しによる劣化の少ない強誘電体キャパシタまたは高誘電率を有する誘電体キャパシタを提供する。比抵抗の増大なしに信頼性の高い配線を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板表面上に形成された電極を含み、前記電極が下式M1xM21-xM1:Au、Pt、Ir、Pd、Os、Re、Rh、Tu、Cu、Co、Fe、Ni、V、CrM2:Ta、Ti、Zr、Hf、W、Y、Mo、Nbで表されるアモルファスまたは微結晶からなるバリア層を含むことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板表面上に形成された電極を含み、前記電極が下式M1<SB>x</SB>M2<SB>1-x</SB> (0<x<1)M1:Au、Pt、Ir、Pd、Os、Re、Rh、Tu、Cu、Co、Fe、Ni、V、CrM2:Ta、Ti、Zr、Hf、W、Y、Mo、Nbで表されるアモルファスまたは微結晶からなるバリア層を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108
FI (4)：
H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 651
F-Term (27)：
4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104DD16 ,  4M104DD45 ,  4M104FF13 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  5F083AD21 ,  5F083FR01 ,  5F083GA02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA32 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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